特許
J-GLOBAL ID：200903092306590313
基板表面の評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-181962
公開番号（公開出願番号）：特開2006-003285
出願日： 2004年06月21日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
【課題】 ATR-FTIR測定でシリコン基板表面の微妙な変化を検出可能とする基板表面の評価方法を提供する。【解決手段】 基板表面から得られた吸収スペクトルのうち、特定の吸収波数によって規定される吸収ピークを基準ピークと定め、さらに他の特定の吸収波数によって規定される吸収ピークを対照ピークと定め、この基準ピークと対照ピークとのピーク強度比を取ることによって基板表面の化学結合状態の微妙な変化の検出や、定量評価を可能にする。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
基板の表面状態を評価する方法であって、
前記基板の表面に前記基板の屈折率よりも大きい屈折率を有するクリスタルを密着させ、前記基板の表面に存在する化学物質や化学結合状態によって吸収される波長範囲を有する測定光を前記クリスタルから前記基板の表面に対して臨界角以上の角度で入射させ、前記クリスタルと前記基板の表面との界面で測定光を全反射させることによって前記基板の表面に存在する化学物質や化学結合状態に起因した吸収を測定して、前記基板の表面に存在する化学物質や化学結合状態を評価する工程を有し、
前記基板の表面に存在する化学物質や化学結合状態を評価する際に、2075cm-1から2150cm-1の間に生じるシリコンと水素の結合に起因する吸収ピークのうち、第1の吸収波数によって規定される吸収ピークを基準ピークと定め、第2の吸収波数によって規定される吸収ピークを対照ピークと定め、前記基準ピークと前記対照ピークとのピーク強度比を取ることによって前記基板の表面状態を評価することを特徴とする基板表面の評価方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N21/27 C
, H01L21/66 N
2G059AA03
, 2G059AA05
, 2G059BB08
, 2G059DD03
, 2G059EE01
, 2G059EE04
, 2G059EE12
, 2G059FF05
, 2G059HH01
, 2G059JJ12
, 2G059KK01
, 4M106AA01
, 4M106BA08
, 4M106CB21
, 4M106DH31
, 4M106DH38
, 4M106DJ18
, 4M106DJ23
