特許

J-GLOBAL ID：200903092310039656

エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

発明者： 飯泉 安広 ,  下河原 匡哉
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (2件)： 山下 昭彦 ,  岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-256855
公開番号（公開出願番号）：特開2009-087782
出願日： 2007年09月28日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：

【課題】本発明は、種々の有機配位子に適用可能であり、発光特性および寿命特性の良好な、量子ドットを含有する発光層を有するEL素子の製造方法を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、第1電極層が形成された基板上に、周囲に有機配位子が配置された量子ドットを含有する発光層形成用塗工液を塗布して、発光層を形成する発光層形成工程と、上記発光層にUV-オゾン洗浄を施して、上記有機配位子を除去する有機配位子除去工程と、上記有機配位子が除去された発光層上に、第2電極層を形成する第2電極層形成工程とを有することを特徴とするEL素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電極層が形成された基板上に、周囲に有機配位子が配置された量子ドットを含有する発光層形成用塗工液を塗布して、発光層を形成する発光層形成工程と、 前記発光層にUV-オゾン洗浄を施して、前記有機配位子を除去する有機配位子除去工程と、 前記有機配位子が除去された発光層上に、第2電極層を形成する第2電極層形成工程と を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

IPC (2件)：

H05B 33/10 ,  H01L 51/50

FI (3件)：

H05B33/10 ,  H05B33/14 B ,  H05B33/22 C

Fターム (10件)：

3K107AA01 ,  3K107CC01 ,  3K107CC21 ,  3K107DD58 ,  3K107DD70 ,  3K107DD71 ,  3K107DD84 ,  3K107FF19 ,  3K107GG21 ,  3K107GG28

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体ナノクリスタルを含む、発光デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-581553   出願人：マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー, ユニバーサルディスプレイコーポレーション
• 量子ドットを含むエレクトロルミネセントデバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-506656   出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ