特許

J-GLOBAL ID：200903092359600264

パターン形成方法とリソグラフィシステム

発明者： 杉原 和佳 ,  新山 広美 ,  馬越 俊幸 ,  安藤 厚司 ,  中杉 哲郎 ,  佐藤 信二 ,  渡辺 由美 ,  加藤 善光 ,  柴田 透 ,  奥村 勝弥
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-046683
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242038
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 電子ビーム露光装置の持つ光を越える優れた解像力と光ステッパの持つ高いスループットの双方を生かすことができ、微細パターンを高いスループットで形成する。【解決手段】 ウェハ5上に形成されたレジストに所望パターンを転写してレジストパターンを形成するパターン形成方法において、同一レジストに対するパターン転写を、フォトマスクを用いた光ステッパ1と電子ビーム露光装置2の両者で行い、かつ光ステッパ1の解像限界以下のパターン転写を電子ビーム露光装置2で行う。

請求項（抜粋）：

被処理基板上に形成された感光材に所望パターンを転写して感光材のパターンを形成するパターン形成方法において、同一感光材に対するパターン転写を、フォトマスクを用いた光露光と荷電ビーム露光の両者で行い、かつ少なくとも光露光の解像限界以下のパターン転写を荷電ビーム露光で行うことを特徴とするパターン形成方法。

FI (2件)：

H01L 21/30 514 E ,  H01L 21/30 541 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-352410
  
• 特開平4-352410
  
• 特開平4-326509
  
• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-212857   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社