特許
J-GLOBAL ID：200903092363645361
キャパシタおよびその製造方法、強誘電体メモリ装置、アクチュエータ、並びに、液体噴射ヘッド
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
布施 行夫
, 大渕 美千栄
, 伊奈 達也
, 竹腰 昇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-292552
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103722
出願日： 2005年10月05日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】結晶性の良好な誘電体膜を有し、良好なヒステリシス特性を有することができるキャパシタを提供する。【解決手段】本発明に係るキャパシタ100は,下部電極4と、下部電極4の上方に形成され、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛からなる第1誘電体膜11と、第1誘電体膜11の上方に形成され、チタン酸ジルコン酸鉛、または、前記第1誘電体膜を構成するニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛よりもNb組成が小さいニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛からなる第2誘電体膜13と、第2誘電体膜13の上方に形成された上部電極6と,を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下部電極と、
前記下部電極の上方に形成され、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛からなる第1誘電体膜と、
前記第1誘電体膜の上方に形成され、チタン酸ジルコン酸鉛、または、前記第1誘電体膜を構成するニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛よりもNb組成が小さいニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛からなる第2誘電体膜と、
前記第2誘電体膜の上方に形成された上部電極と、を含む、キャパシタ。
IPC (6件)：
H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 41/09
, H01L 41/187
, B41J 2/045
, B41J 2/055
H01L27/10 444B
, H01L41/08 J
, H01L41/18 101D
, B41J3/04 103A
2C057AG44
, 2C057BA04
, 2C057BA14
, 5F083AD14
, 5F083AD21
, 5F083FR02
, 5F083FR03
, 5F083JA15
, 5F083JA38
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083PR33
, 5F083PR34
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
