特許

J-GLOBAL ID：200903092369170209

半導体発光素子

発明者： 大塚 康二 ,  千野 恵美子 ,  室伏 仁
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-036026
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213649
出願日： 1995年02月01日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 長期間にわたって高い発光効率を維持することができる発光ダイオードを提供する。【構成】 基板層11、バッファ層12、n形クラッド層13、活性層14、p形クラッド層15、第1及び第2の電流ブロック層16a、16b、第1及び第2のコンタクト層17a、17bから成る半導体基板の下面にカソード電極19、上面の中央にアノード電極18を形成する。第2のコンタクト層17bを多結晶半導体領域とする。また、第2のコンタクト層17bのAlの絶対固相組成比を第1のコンタクト層17aよりも小さくする。この第2のコンタクト層17bの主面を粗面から成る光取り出し面20とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1導電形のクラッド層と活性層と前記第1導電形と反対の第2導電形のクラッド層と第2導電形のコンタクト層とが順に配置された化合物半導体基板と、前記半導体基板の一方の主面で前記コンタクト層に接続された第1の電極と、前記半導体基板の他方の主面に配設され且つ前記第1導電形のクラッド層に電気的に接続された第2の電極とを備え、前記半導体基板の一方の主面に露出した前記コンタクト層の主面が光取り出し面を含むように構成された半導体発光素子において、前記コンタクト層は、Al(アルミニウム)を含む化合物半導体から成り且つ前記第2導電形のクラッド層に隣接している第1のコンタクト層と、前記第1のコンタクト層を介して前記第2導電形クラッド層に隣接し且つ光取り出し面を含んでいる第2のコンタクト層とを有し、前記第2のコンタクト層はAlを含んでいない又は前記第1のコンタクト層に比べてAlの絶対固相組成比が小さい多結晶半導体領域から成り、前記光取り出し面が粗面に形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-298083
  
• 特開昭59-175776
  
• 特開平3-283676
  
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-351646   出願人：株式会社東芝