フローティングゲート電界効果トランジスタ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-342967
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197785
出願日： 2002年11月26日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】フローティングゲート電界効果トランジスタを、実質的に、少なくとも保持時間の長さが変わらない状態で、従来技術と比較して短縮された書き込み/消去時間の不揮発性データメモリとして提供すること。【解決手段】好適には、メモリセルとして用いられるフローティングゲート電界効果トランジスタ(400)は、フローティングゲート領域(407)の上側または下側に、第1の相対誘電率を有する下部層(409)、第2の相対誘電率を有する中間層(410)および第3の相対誘電率を有する上部層(411)を含む電気的絶縁層のシーケンス(408)を備え、ここで、第2の相対誘電率は、第1の相対誘電率よりも大きく、かつ第3の相対誘電率よりも大きい。

請求項（抜粋）：

フローティングゲート電界効果トランジスタであって、ソース領域、ドレイン領域およびチャンネル領域と、該チャンネル領域の上に配置された第1の電気的絶縁層と、該第1の電気的絶縁層の上に配置されたフローティングゲート領域と、該フローティングゲート領域の上に配置された第2の電気的絶縁層と、該第2の電気的絶縁層の上に配置されたゲート領域とを備え、該第1の電気的絶縁層または該第2の電気的絶縁層は、3つの層を含む電気的絶縁層のシーケンスを有し、該電気的絶縁層のシーケンスは、第1の相対的誘電率を有する材料を含む下部層と、第2の相対的誘電率を有する材料を含む中間層と、第3の相対的誘電率を有する材料を含む上部層とを含み、該第2の相対的誘電率は、該第1の相対的誘電率よりも大きく、かつ該第3の相対的誘電率よりも大きい、フローティングゲート電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Fターム (23件)：

5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP43 , 5F083EP44 , 5F083EP55 , 5F083EP56 , 5F083ER02 , 5F083ER03 , 5F083GA01 , 5F083GA21 , 5F083JA02 , 5F083JA19 , 5F083JA20 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F101BA26 , 5F101BA29 , 5F101BA35 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BC02 , 5F101BC11 , 5F101BE05

引用特許：

出願人引用 (2件)

DE 198 23 768 A1公報
WO 99/19913パンフレット

審査官引用 (1件)

半導体装置及びその駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-122040 出願人：日本電気株式会社

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