半導体装置及びその駆動方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲垣清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-122040
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308286
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】漏れ電流の発生を抑制しながらも、2つの電極に挟まれた絶縁層をトンネルする電流発生時における電極間への印加電圧を従来に比して低下させ、絶縁層の劣化を抑制できる半導体装置、及び該半導体装置の駆動方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、絶縁体と、この絶縁体を挟む少なくとも2つの電極1、2とを備えており、絶縁体は、電極1に隣接する第1領域3と該第1領域3よりも誘電率が高い第2領域4とを有している。これにより、メモりに用いた場合、漏れ電流を抑制して蓄積電荷を長時間保持し、また、書込み等の駆動時には従来技術に比して電荷のエネルギーが小さい状態で第1領域に電子が流れ、第1領域の劣化が極めて小さい構造が得られる。

請求項（抜粋）：

絶縁体と、該絶縁体を挟む少なくとも2つの電極とを備え、前記絶縁体は、前記電極の一方に隣接する第1領域と該第1領域よりも誘電率が高い第2領域とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 27/10 451 , G02F 1/1365 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/06 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 27/10 451 , H01L 29/06 , G02F 1/136 505 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Fターム (47件)：

2H092JA03 , 2H092JA23 , 2H092JA25 , 2H092JA29 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB32 , 2H092JB57 , 2H092KA03 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA12 , 2H092MA25 , 2H092NA22 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 5F001AA01 , 5F001AB02 , 5F001AC06 , 5F001AF06 , 5F038AC02 , 5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC16 , 5F038AC18 , 5F038DF05 , 5F038EZ01 , 5F038EZ20 , 5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083EP42 , 5F083EP54 , 5F083EP55 , 5F083ER02 , 5F083ER16 , 5F083GA21 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR03 , 5F083PR21 , 5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (6件)

不揮発性半導体記憶装置及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-198624 出願人：沖電気工業株式会社
MOS型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-175518 出願人：株式会社東芝
特開昭64-055868

全件表示

前のページに戻る