半導体集積回路配線構造体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小杉佳男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-065413
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275620
出願日： 1993年03月24日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路において、Cu配線を用い、CuのSi又はSiO2 への拡散を防止した配線構造を得る。【構成】Si基板1の表面にBPSGの絶縁膜2を設け、その上にNb-Nのアモルファス層3をRFマグネトロンスパッタリングによって成長させ、その表面にCu膜4をRFマグネトロンスパッタリングによって成長させ、Cu配線5を形成する。

請求項（抜粋）：

W,Ta,Nb,Ti及びこれらの窒化物から選ばれた1種の材料のアモルファスのバリア層をCu配線の下地又は被覆として設けたことを特徴とする半導体集積回路配線構造体。

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭63-073645
特開昭64-005015
特開平3-142883

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