特許

J-GLOBAL ID：200903092421149043

量子構造体を用いた半導体記憶装置

発明者： 廣▲瀬▼ 全孝 ,  宮崎 誠一 ,  香野 淳
出願人/特許権者： 広島大学長
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-248558
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087544
出願日： 1997年09月12日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 しきい値のばらつきを低減し、低電圧で安定且つ高速に動作するフローティングゲート型半導体メモリを提供する。【解決手段】 第1導電型の半導体基板において第2導電型のソース領域およびドレイン領域を設けると共に、前記基板上に絶縁膜を設け、前記絶縁膜上にコントロールゲート部を設け、前記絶縁膜中にフローティングゲート部を設けたフローティングゲート型半導体メモリにおいて、前記フローティングゲート部を、多数の導電性材料より成る量子構造体を二次元的に配置して構成し、三次元量子サイズ効果、量子構造体へのトンネル効果等の量子効果を利用する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板において第2導電型のソース領域およびドレイン領域を設けると共に、前記基板上に絶縁膜を設け、前記絶縁膜上にコントロールゲート部を設け、前記絶縁膜中にフローティングゲート部を設けたフローティングゲート型半導体メモリにおいて、前記フローティングゲート部を、多数の導電性材料より成る量子構造体を二次元的に配置して構成したことを特徴とするフローティングゲート型半導体メモリ。

IPC (7件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/02 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06

FI (5件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06 ,  G11C 17/00 621 A ,  G11C 17/00 641

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 微細パターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-230485   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト