微細パターンの形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富村潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-230485
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112440
出願日： 1997年08月13日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：

【要約】【課題】微細パターンの実装密度を一層良好に調整し、微細パターンの大きさを調整することのできる微細パターンの製造方法を提供する。【解決手段】基板1〜3の表面上にCVD法でキャリアガス中にSiH4及びGeH4を含む第1のプロセスガスの使用下に微細パターンの寸法を決定する結晶核4を形成し、これらの結晶核4を例えばエッチング又は注入時のマスクとしし、また能動的又は受動的構成部材としてパターンに残留させる。

請求項（抜粋）：

基板(1、2、3)の表面上にキャリアガス中にSiH4及びGeH4を含む第1のプロセスガスの使用下にCVD法で微細パターンの大きさを決定する結晶核(4)を形成し、結晶核(4)が所定の密度に達すると直ちに第1のプロセスガスを使用してのCVD法を中止し、SiCl2H2及び/又はGeH4をキャリアガス中に含む第2のプロセスガスの使用しての選択エピタキシーにより結晶核(4)の大きさを調整することを特徴とする微細パターンの形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/205 , H01L 21/266 , H01L 21/3065 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 21/205 , H01L 21/265 M , H01L 21/302 J , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-267324
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-316611 出願人：日本電気株式会社
気相核生成を利用したポリシリコンのテクスチヤ化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-116697 出願人：マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド

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