特許

J-GLOBAL ID：200903092422622761

電気光学装置の製造方法及び電気光学装置

発明者： 安川 昌宏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-069414
公開番号（公開出願番号）：特開2001-255559
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】 ポリシリコンからなる半導体層が表示画素領域中に配置され、単結晶シリコンからなる半導体層が駆動回路領域中に配置された液晶装置を、容易に形成する。【解決手段】 液晶装置のTFTアレイ基板の製造方法において、基板上110に単結晶シリコン膜210を形成し、駆動回路領域に対応する単結晶シリコン膜上にマスク211を形成した状態で、表示画素領域に対応する単結晶シリコン膜に珪素イオンを注入した後、加熱処理をする。これにより、表示画素領域中では、珪素イオンが注入された単結晶シリコン膜210cはポリシリコン化されポリシリコン膜210dとなる。一方、駆動回路領域では、単結晶シリコン膜210は、結晶成長された単結晶シリコン膜210eとなる。

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくともポリシリコン膜からなる半導体層を有するスイッチング素子が配置された表示画素と、少なくとも該表示画素を駆動する単結晶シリコン膜からなる半導体層を有するスイッチング素子が配置された駆動回路とが配置された電気光学装置の製造方法において、(a)前記基板上に単結晶シリコン膜を形成する工程と、(b)前記駆動回路に対応する前記単結晶シリコン膜上にマスクを形成する工程と、(c)前記単結晶シリコン膜のマスクが形成されていない領域に珪素イオンを注入して非単結晶膜を形成する工程と、(d)前記非単結晶膜をポリシリコン化する工程と、(e)前記珪素イオンが注入された領域と珪素イオンが注入されていない領域をパターニングして、それぞれ前記ポリシリコン膜からなる半導体層と前記単結晶シリコン膜からなる半導体層を形成する工程と、を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。

IPC (6件)：

G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 348 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

G09F 9/00 348 C ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 627 D ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (115件)：

2H092JA28 ,  2H092JB52 ,  2H092JB58 ,  2H092KA03 ,  2H092KA05 ,  2H092MA05 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA23 ,  2H092MA26 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA37 ,  2H092NA27 ,  2H092RA05 ,  5C094AA13 ,  5C094AA21 ,  5C094AA43 ,  5C094AA48 ,  5C094AA49 ,  5C094AA53 ,  5C094AA56 ,  5C094BA03 ,  5C094BA16 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5C094ED03 ,  5C094ED15 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F052AA02 ,  5F052AA04 ,  5F052AA17 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052DB10 ,  5F052HA01 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F052JA10 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD25 ,  5F110EE09 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL05 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN26 ,  5F110NN35 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP33 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5G435AA16 ,  5G435AA17 ,  5G435BB12 ,  5G435BB15 ,  5G435BB17 ,  5G435CC09 ,  5G435CC12 ,  5G435DD05 ,  5G435EE32 ,  5G435EE37 ,  5G435FF13 ,  5G435HH12 ,  5G435HH13 ,  5G435HH14 ,  5G435KK05 ,  5G435KK09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 液晶表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-307490   出願人：キヤノン株式会社
• SOI基板とその製造方法及びこれを用いた半導体装置及び液晶パネル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-104518   出願人：セイコーエプソン株式会社