特許

J-GLOBAL ID：200903092445070480

流路形成体及び流路形成体の製造方法

発明者： 高部 達夫
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-236439
公開番号（公開出願番号）：特開2007-050463
出願日： 2005年08月17日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：

【課題】 製造効率が良く接合不良の発生が少なく品質のよい流路形成体及びこの流路形成体の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコンを基材とする流路溝が形成された流路基板と、流路基板に被さって流路溝と共同して流路を形成し、流路基板に被さる面側が硼珪酸ガラスである封止板とが接合されることでなる流路形成体であって、流路基板と封止板とが重なる面の面積から流路基板に形成される流路溝の面積を差し引いた面積を面積Aとし、面積Aは、流路基板と封止板とが接触して接合される領域の面積(面積B)と流路基板と封止板とが間隙を備えることで接合されない領域の面積(面積C)とでなり、面積B/面積Aは2%から20%とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコンを基材とする流路溝が形成された流路基板と、 前記流路基板に被さって前記流路溝と共同して流路を形成し、該流路基板に被さる面側が可動イオンを含む硼珪酸ガラスである封止板と、が接合されることでなる流路形成体であって、 前記流路基板と前記封止板とが重なる面の面積から該流路基板に形成される前記流路溝の面積を差し引いた面積を面積Aとし、 前記面積Aは、前記流路基板と前記封止板とが接触して接合される領域の面積(面積B)と該流路基板と該封止板とが間隙を備えることで接合されない領域の面積(面積C)とで構成され、 接合面積比として表す面積B/面積Aは2%から20%とすることを特徴とする流路形成体。

IPC (3件)：

B81B 1/00 ,  B01J 19/00 ,  G01N 37/00

FI (3件)：

B81B1/00 ,  B01J19/00 321 ,  G01N37/00 101

Fターム (12件)：

4G075AA39 ,  4G075BA10 ,  4G075BB05 ,  4G075BD05 ,  4G075BD15 ,  4G075DA02 ,  4G075EB21 ,  4G075EE03 ,  4G075EE12 ,  4G075FA01 ,  4G075FB01 ,  4G075FB06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• マイクロポンプ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-143124   出願人：ミノルタ株式会社
• 特公平7-84058号公報