特許

J-GLOBAL ID：200903092452029933

絶縁膜の形成方法

発明者： 西山 幸男 ,  岡野 晴雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-227602
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097199
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【構成】半導体装置を構成する配線を電気的に隔離するF含有絶縁膜の形成方法であって、2種以上の高周波電源を印加し、この内第1の高周波電源の周波数を30MHz以上とするプラズマ化学気相成長法により形成することにより、プラズマ中に発生するFラジカル、Fイオンの数を増加させる。このFラジカル、Fイオンがプラズマ中に存在する水素や炭素と反応し、この反応物はプラズマ化学気相成長装置から排気される。これにより水素や炭素が非処理基板に達して、製造後に大気中のH2 Oと反応することによる絶縁膜の吸湿率の上昇が防がれる。【効果】従来のプラズマ化学気相成長法で形成されたF含有SiO2 膜に比べて、低い誘電率を維持しつつ膜の吸湿率を減少させる事ができ、配線の信頼性やMOSトランジスタの特性の劣化を防止する事が可能である。

請求項（抜粋）：

半導体装置を構成する配線を電気的に隔離するFを含む絶縁膜をプラズマ化学気相成長法により形成する方法であって、2種以上の高周波電力を印加し、第1の高周波電力の周波数を30MHz以上とし、第2の高周波電力の周波数を第1の高周波電力の周波数よりも低いものとすることを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/314 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物薄膜の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-323801   出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
• 特開平3-204925
  
• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-120396   出願人：松下電器産業株式会社