半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-105024
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303352
出願日： 1997年04月22日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】パッケージクラックの生じない信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、リードフレーム11上に半導体素子12を接着層13により搭載し、封止樹脂14により封止したものであり、リードフレーム11は、実質的にCuからなる基材11aと、この基材上に形成された基材11aの酸化物からなる厚さ約50nm以下の酸化物薄膜11bとを具備する。酸化物薄膜11bの膜厚を約50nm以下に制御することにより、封止樹脂14との接合強度が大きく向上し、実装時のリフロープロセスなど大きな熱的負荷がかかった場合でも、パッケージクラックが発生しない。

請求項（抜粋）：

実質的に銅または銅基合金からなる基材と、前記基材上に形成され、前記基材の酸化物からなる厚さ約50nm以下の酸化物薄膜とを有するリードフレームと、前記リードフレーム上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子を封止する封止部材とを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/50 , H01L 21/60 301 , H01L 21/60 , H01L 21/607

FI (4件)：

H01L 23/50 D , H01L 21/60 301 M , H01L 21/60 301 B , H01L 21/607 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-115151
特開平3-222465
特開平3-005002

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