特許

J-GLOBAL ID：200903092489633989

半導体ウエハ処理方法

発明者： ドブソン,クリストファー,デビッド ,  キアーマスズ,エイドリアン
出願人/特許権者： エレクトロテック イクイップメンツ リミテッド
代理人 (1件)： 新部 興治 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-529436
公開番号（公開出願番号）：特表平9-501020
出願日： 1995年05月10日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】ウエハ上に短鎖状ポリマーを被着してウエハの表面特性をプレーナ化し、ポリマー層表面に拡散層を被着してコントロールされた率でポリマーから水分が放出する半導体ウエハ処理方法。

請求項（抜粋）：

コントロールされた率でポリマーから水分が放出されるようにポリマー層の表面に拡散層を被着することを更に含む、前述タイプの方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-115793   出願人：松下電子工業株式会社