特許
J-GLOBAL ID：200903092490981931

スパッタリング方法

発明者：
藤掛 伸二

藤掛 伸二 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-213150
公開番号（公開出願番号）：特開平9-059775
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1997年03月04日
要約：
【要約】【課題】ロールツーロール方式で可とう性基板面にスパッタリングで成膜する場合、輻射の影響で時間経過と共に基板温度が変化するのを防ぎ、一様なテクスチャ化電極面を形成する。【解決手段】直線状に張って表面上に成膜する基板の温度を、赤外線温度計あるいはシート状熱電対で測定し、放電電源出力にフィードバックして基板温度を制御する。あるいは、測定基板温度をフィードバックして温度を調節したロール間に基板を通すことにより基板温度を制御する。
請求項（抜粋）：
搬送される可とう性基板が直線状に張られた個所の近傍で放電を発生させ、基板表面上にターゲット材からなる薄膜を形成するスパッタリング方法において、薄膜形成時の基板表面を温度を測定し、測定した表面温度に基づいて基板温度を制御することを特徴とするスパッタリング方法。
IPC (5件)：
C23C 14/54 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/56 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/04
FI (6件)：
C23C 14/54 D ,  C23C 14/34 K ,  C23C 14/34 L ,  C23C 14/56 E ,  H01L 21/203 S ,  H01L 31/04 M
引用特許：
審査官引用 (21件)
  • 薄膜形成装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-296837   出願人：松下電器産業株式会社
  • 特開平1-129966
  • 特開平3-232968
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