特許
J-GLOBAL ID:200903092501934019

薄膜トランス及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-252599
公開番号(公開出願番号):特開平9-097718
出願日: 1995年09月29日
公開日(公表日): 1997年04月08日
要約:
【要約】【課題】 小型化、軽量化、高効率化に最適な薄膜コンバータを実現する。【解決手段】 従来の薄膜トランスのうち磁性膜の一部分を磁性フェライト基板である上側磁性基板4に置き換える。また、上側磁性基板4をペルヒドロポリシラザンによって磁性基板3上に接着する。さらに、磁芯を磁性薄膜で形成せずに接着剤に含まれた磁性粉で形成する。
請求項(抜粋):
磁性基板の表面に形成された一次コイル用磁芯と二次コイル用磁芯と、これら、一次コイル用および二次コイル用磁芯にスパイラル状に形成される一次用及び二次用の薄膜コイルと、上記、一次用及び二次コイル用の磁芯上に被着して配される上側磁性基板と、からなる薄膜トランス。
IPC (5件):
H01F 19/00 ,  H01F 1/34 ,  H01F 10/14 ,  H01F 17/00 ,  H01F 41/00
FI (5件):
H01F 19/00 Z ,  H01F 10/14 ,  H01F 17/00 B ,  H01F 41/00 D ,  H01F 1/34 A
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • トランス素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-243292   出願人:株式会社ティ・アイ・エフ

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