特許
J-GLOBAL ID：200903092513139214
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-227026
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097137
出願日： 1994年09月21日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 必要とされる最小限の量の触媒元素を、その添加量を精密に制御して、かつ基板面内での均一性及び基板間での再現性よく非晶質ケイ素膜103に導入し、しかも通常の熱処理により得られる結晶性よりさらに高い結晶性を有する結晶性ケイ素膜103aを、生産性よく、かつ600°C以下の低温熱処理により形成する。【構成】 非晶質ケイ素膜103上に、該非晶質ケイ素膜の結晶化を助長する触媒元素に対する拡散防止膜105、及び該触媒元素を含む薄膜106を順次形成し、その後加熱処理により、該触媒元素を上記薄膜105から拡散防止膜106を介して非晶質ケイ素膜103に導入するとともに、該非晶質ケイ素膜103の結晶化を行うようにした。
請求項（抜粋）：
絶縁性表面を有する基板と、該基板の絶縁性表面上に形成され、非晶質ケイ素膜を結晶化してなる活性領域とを備え、該活性領域は、加熱処理、あるいは加熱処理及びレーザ光または強光の照射処理による非晶質ケイ素膜の結晶化を助長する触媒元素を含むものであり、該活性領域に含まれる触媒元素は、該触媒元素を含む薄膜からの熱拡散により、該触媒元素に対する拡散防止膜を通して該非晶質ケイ素膜に導入したものである半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, H01L 27/12
, H01L 27/146
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 27/14 C
, H01L 29/78 627 G
