金属膜のエッチング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-310653
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138204
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】金属膜をプラズマエッチングする場合において、ノッチ形成や残渣の発生を抑制することのできる手段を提供することにある。【解決手段】本発明は、Al、Al合金又はCuから成る金属膜4、その上にTi系の反射防止膜5、更にその上にフォトレジスト膜6が形成されている被処理基板Wを処理チャンバ内に配置し、処理チャンバ内を所定圧力に減圧し、処理チャンバ内にエッチングガスを供給すると共に、処理チャンバ内にプラズマを生成して金属膜をエッチングするエッチング方法において、エッチングガスを、Cl含有ガスと、C及びFを含有するCF系ガスとを含むものとしたことを特徴とする。この方法によれば、ノッチや残渣の発生が防止ないしは大幅に低減される。

請求項（抜粋）：

アルミニウム、アルミニウム合金又は銅から成る金属膜、その上にチタン系の反射防止膜、更にその上にフォトレジスト膜が形成されている被処理基板を処理チャンバ内に配置し、前記処理チャンバ内を所定圧力に減圧し、前記処理チャンバ内にエッチングガスを供給すると共に、前記処理チャンバ内にプラズマを生成して、前記金属膜をエッチングするエッチング方法であって、前記エッチングガスが、Cl含有ガスと、C及びFを含有するCF系ガスとを含むことを特徴とする金属膜のエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/28 , H01L 21/3213

FI (4件)：

H01L 21/302 F , C23F 4/00 E , H01L 21/28 F , H01L 21/88 D

Fターム (52件)：

4K057DA20 , 4K057DB04 , 4K057DB05 , 4K057DB08 , 4K057DD01 , 4K057DE01 , 4K057DE04 , 4K057DE06 , 4K057DE07 , 4K057DE08 , 4K057DE09 , 4K057DM37 , 4K057DM40 , 4K057DN01 , 4M104AA01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104DD65 , 4M104EE05 , 4M104EE14 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104GG13 , 4M104HH20 , 5F004AA01 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004BD02 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DB01 , 5F004DB08 , 5F004DB09 , 5F004DB12 , 5F004DB16 , 5F004EA22 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH33 , 5F033QQ03 , 5F033QQ08 , 5F033QQ10 , 5F033QQ12 , 5F033QQ15 , 5F033QQ16

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体集積回路装置の製造方法およびドライエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-279927 出願人：株式会社日立製作所
ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-332552 出願人：ソニー株式会社

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