特許

J-GLOBAL ID：200903092575951942

無機薄膜のエッチング方法

発明者： 丹羽 勝弘 ,  立花 康子 ,  三浦 康男
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-164479
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022383
出願日： 1993年07月02日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【構成】無機薄膜を該無機薄膜上に形成されたパターン層をマスクとしてエッチングするに際して、初めにエッチング速度の大きいエッチング液を用いてエッチングを行ない、ついで該エッチング液よりもエッチング速度の小さいエッチング液を用いてエッチングすることを特徴とする無機薄膜のエッチング方法。【効果】無機薄膜のエッチングにおいて、無機薄膜の膜厚が厚い場合にも、エッチング時間が短く、しかもサイドエッチングの程度が少ない良好なエッチングパターンを得ることができるという顕著な実用効果を奏するものである。

請求項（抜粋）：

無機薄膜を該無機薄膜上に形成されたパターン層をマスクとしてエッチングするに際して、初めにエッチング速度の大きいエッチング液を用いてエッチングを行ない、ついで該エッチング液よりもエッチング速度の小さいエッチング液を用いてエッチングすることを特徴とする無機薄膜のエッチング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 ,  C01B 33/12 ,  C23F 1/18 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/06

FI (2件)：

H01L 21/306 D ,  H01L 21/306 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-135735
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-170801   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭62-145817
  
• 特開昭62-004885