特許

J-GLOBAL ID：200903092582050756

半導体装置およびその作製方法

発明者： ▲ひろ▼木 正明 ,  山本 睦夫 ,  竹村 保彦 ,  山口 直明 ,  寺本 聡
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-156513
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335546
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタのソース/ドレイン領域とチャネル形成領域との界面およびその近傍における欠陥を減少させる。【構成】 結晶化を助長する触媒元素の作用によって結晶性を与えられた活性層103に対して、ゲイト電極105をマスクとして、ソース領域107とドレイン領域110への不純物イオンの注入を行う。その後、350度〜550度程度の加熱処理を加えることにより、結晶性を有する領域108から結晶成長を行わせ、ソース領域107とドレイン領域110との結晶化と注入された不純物の活性化を行う。この結果、結晶性を有する領域108とソース領域107、ドレイン領域110との界面に格子不整合に起因する欠陥が集中することを防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

非晶質珪素膜に結晶化を助長する金属元素を導入する工程と、加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜とする工程と、前記結晶性珪素膜を用いて活性層を形成する工程と、前記活性層の一部に選択的に不純物イオンを注入する工程と、加熱処理を施し、前記不純物イオンが注入されなかった領域から前記不純物イオンが注入された領域に向かって結晶成長を行わす工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/265 A ,  H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-200673
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-083383   出願人：シャープ株式会社