半導体装置およびそのボンディングパッド構造

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-019212
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213422
出願日： 1995年02月07日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】第1の配線層およびその上方に位置してパッド電極として作用する第2の配線層ならびにその間を電気的に接続する導電性要素を有する層間絶縁層を有するボンディングパッド構造を有する半導体装置において、ワイヤーボンディングの際に層間絶縁層にクラックが入らない構造を提供する。【構成】第1の配線層の面積を第2の配線層の面積より小さくするか、あるいは第1の配線層を第2の配線層のボンディング領域の外側の下方に形成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1および第2の配線層、ならびにこれらの配線層の間に存在して、これらの配線層を電気的に接続するために導電性成分が充填された少なくとも1つのビアホールを有する層間絶縁層を有して成る多層配線構造のボンディングパッドを有する半導体装置において、(1)第1の配線層は、スリット部分を有する配線パターンを有し、(2)層間絶縁層は、第1の配線層の上側に位置し、また、スリット部分を充填し、層間絶縁層に含まれるビアホールは、第1の配線層上に配置され、(3)第2の配線層は、層間絶縁層の上側に形成されて、ビアホールを介して第1の配線層と電気的に接続され、半導体装置の外部との電気的な入出力を行うパッド電極として作用することを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-167449
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-299868 出願人：日本電気株式会社
特開昭62-134953

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