特許
J-GLOBAL ID：200903092596202940

超伝導厚膜の臨界電流密度及び電流・電圧特性の測定方法、及び装置

発明者：
山崎 裕文

山崎 裕文 について

, 
馬渡 康徳

馬渡 康徳 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-365619
公開番号（公開出願番号）：特開2005-127940
出願日： 2003年10月27日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】 非破壊的かつ非接触で的確に測定できる超伝導厚膜の臨界電流密度および電流・電圧特性の測定方法、及び装置を提供する。 【解決手段】 超伝導厚膜の直上に配置したコイルに交流電流を流し、この電流及びこの電流によりコイルに誘起される第3高調波誘導電圧を検出することにより、第3高調波誘導電圧の増加が急に緩やかになる点に対応する交流電流値から超伝導厚膜の臨界電流密度を求める。さらに、この方法を用い、この交流電流の周波数を変化させて臨界電流密度を複数回測定することによって、超伝導厚膜の電流・電圧特性を測定する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
超伝導厚膜の近傍に配置したコイルに交流電流を流し、該交流電流及び該交流電流により前記コイルに誘起される第3高調波誘導電圧を検出し、第3高調波誘導電圧あるいは該第3高調波誘導電圧の平方根の値を該交流電流に対してプロットした曲線を求め、該曲線における第3高調波誘導電圧の増加が急に緩やかになる点に対応する交流電流値から超伝導厚膜の臨界電流密度を測定することを特徴とする超伝導厚膜の臨界電流密度の測定方法。
IPC (1件)：
G01R19/08
FI (1件)：
G01R19/08
Fターム (9件)：
2G035AA08 ,  2G035AB07 ,  2G035AC25 ,  2G035AD10 ,  2G035AD18 ,  2G035AD20 ,  2G035AD28 ,  2G035AD51 ,  2G035AD55
引用特許：
出願人引用 (7件)
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