特許
J-GLOBAL ID：200903010627304430

超伝導体の臨界電流密度の測定方法および測定装置

発明者：
馬渡 康徳

馬渡 康徳 について

, 
山崎 裕文

山崎 裕文 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-068563
公開番号（公開出願番号）：特開2003-207526
出願日： 2002年03月13日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：
【要約】【課題】大面積膜、長尺線材、バルク材などの大面積・大型超伝導体において、特に厚さが大きい場合の臨界電流密度の局所的な値とその分布を、非破壊的かつ非接触で評価する測定方法および測定装置を提供することにある。【解決手段】超伝導体の臨界電流密度の測定方法において、超伝導体を所定形状のブロックに仮想的に分割し、一つのブロックにコイルを配置し、コイルに交流電流を流し、このコイルに流す電流と、コイルに誘起される第三高調波誘導電圧とを検出し、所定条件のもとに前記電流と前記電圧との間の関係を表す所定の演算式から臨界電流密度を求め、コイルの位置を別のブロックに順次移動させて以上の操作を繰り返し、各ブロック毎の臨界電流密度の分布を求めること。
請求項（抜粋）：
超伝導体を所定形状のブロックに仮想的に分割し、一つのブロックにコイルを配置し、コイルに交流電流を流し、このコイルに流す電流I0と、この電流によりコイルに誘起される第三高調波誘導電圧V3とを検出し、所定条件のもとに前記電流I0と前記電圧V3との関係を表す所定の演算式から臨界電流密度を求め、コイルの位置を別のブロックに順次移動させて以上の操作を繰り返して各ブロック毎の臨界電流密度の分布を求めることを特徴とする超伝導体の臨界電流密度の測定方法。
IPC (3件)：
G01R 19/08 ZAA ,  G01N 27/00 ,  G01N 27/72
FI (3件)：
G01R 19/08 ZAA ,  G01N 27/00 Z ,  G01N 27/72
Fターム (24件)：
2G035AA12 ,  2G035AA15 ,  2G035AB07 ,  2G035AC15 ,  2G035AD10 ,  2G035AD18 ,  2G035AD55 ,  2G053AA00 ,  2G053AB14 ,  2G053BA16 ,  2G053BB11 ,  2G053BB17 ,  2G053BC02 ,  2G053BC14 ,  2G053CA03 ,  2G053CA18 ,  2G053CB12 ,  2G053DA01 ,  2G053DB19 ,  2G060AA10 ,  2G060AE40 ,  2G060AF03 ,  2G060HA02 ,  2G060HC13
引用特許：
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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