特許
J-GLOBAL ID:200903092599985791
ハフニウム系酸化膜形成材料
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
宇高 克己
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-282198
公開番号(公開出願番号):特開2002-093804
出願日: 2000年09月18日
公開日(公表日): 2002年03月29日
要約:
【要約】【課題】 綺麗なハフニウム系膜を効率良く形成できる技術を提供することである。【解決手段】 (R1R2N)4Hfで表される化合物を用いる。
請求項(抜粋):
(R1R2N)4Hf〔但し、R1,R2はアルキル基、及びシリコン系化合物の基の群の中から選ばれるものであり、R1とR2とは互いに異なっていても同じであってもよい。〕で表される化合物からなることを特徴とするハフニウム系酸化膜形成材料。
IPC (3件):
H01L 21/316
, C23C 16/40
, H01L 29/78
FI (3件):
H01L 21/316 X
, C23C 16/40
, H01L 29/78 301 G
Fターム (17件):
4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030AA11
, 4K030AA18
, 4K030BA01
, 4K030BA42
, 4K030BA44
, 4K030CA04
, 4K030FA10
, 4K030LA15
, 5F040DA19
, 5F040ED03
, 5F040FC00
, 5F058BA20
, 5F058BC03
, 5F058BF27
, 5F058BJ01
引用特許:
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