特許
J-GLOBAL ID：200903092643448898

半導体装置とその製造方法

発明者：
舟木 正紀

舟木 正紀 について


出願人/特許権者：
日本ビクター株式会社

日本ビクター株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-342731
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173037
出願日： 1996年12月06日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 1回の不純物注入でレトログレードウエルを形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法において、レトログレードウエルを形成するために基板1の表面の薄い酸化膜を通して基板の深いところに濃度がピークを持つように第1導電型の不純物を注入する工程と、前記酸化膜の表面に窒化膜を形成して部分的に除去する工程と、前記窒化膜を除去した部分の酸化膜が前記不純物濃度のピーク位置の近傍になるまで酸化を行なう工程とを含むように構成する。これにより、レトログレードウエルの製造工程を簡略化する。
請求項（抜粋）：
基板上のウエル中に素子領域と分離領域を有し、不純物濃度が基板の表面側よりも深い部分でピークを持つようにしたレトログレードウエルの半導体装置において、前記不純物濃度のピークを、前記素子領域と前記分離領域とにおいて略同じ深さに設定するようにしたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/76 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/08 331
FI (4件)：
H01L 21/76 S ,  H01L 27/08 331 B ,  H01L 21/265 A ,  H01L 21/94 A
引用特許：
審査官引用 (11件)
  • 特開昭62-281463
  • 特開昭61-125071
  • CMOS半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-076453   出願人：三洋電機株式会社
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