特許
J-GLOBAL ID：200903092648534890

半導体光機能デバイス

発明者：
鈴木 信夫

鈴木 信夫 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-398175
公開番号（公開出願番号）：特開2003-195237
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 低雑音の半導体光増幅器や、超高速でかつスイッチング・エネルギーの低い非線形半導体光デバイスを実現する。【解決手段】 光導波路内に設けられた、第1の量子井戸(光増幅領域)37と第2の量子井戸(電子励起領域)38とが薄い障壁層35により結合した単位結合量子井戸構造31が複数周期積層されてなる半導体積層構造3に、第2の量子井戸38のサブバンド間吸収帯域内の波長の励起光を注入すると共に積層方向に電圧を印加して電子を流すことで、第1の量子井戸37に誘導放出利得を生ぜしめ、信号光を増幅する。また、制御光による光増幅領域の利得飽和や電子励起領域の吸収飽和を利用して、信号光を超高速にスイッチングする。
請求項（抜粋）：
少なくとも二つのサブバンドを有する第1の量子井戸(光増幅領域)と、少なくとも二つのサブバンドを有しかつそのサブバンド間エネルギー差が前記第1の量子井戸のサブバンド間エネルギー差よりも大きな第2の量子井戸(電子励起領域)と、の少なくとも二つの量子井戸が薄い障壁層により結合した単位結合量子井戸構造が、複数層周期的に積層されてなる半導体積層構造と、この半導体積層構造を含む光導波構造と、前記半導体積層構造に対しその積層方向に電圧を印加して前記単位結合量子井戸構造の第1の量子井戸から第2の量子井戸に向かう方向にキャリアを流す手段と、前記光導波構造の一端側から光を入射する手段と、前記光導波構造の他端側から光を出射する手段と、前記半導体積層構造に前記第2の量子井戸のサブバンド間吸収帯域内の励起光を注入する手段と、を具備してなることを特徴とする半導体光機能デバイス。
IPC (7件)：
G02F 1/017 503 ,  G02B 6/12 ,  G02F 1/313 ,  G02F 1/365 ,  H01S 5/343 610 ,  H01S 5/50 610 ,  H01S 5/50 630
FI (7件)：
G02F 1/017 503 ,  G02F 1/313 ,  G02F 1/365 ,  H01S 5/343 610 ,  H01S 5/50 610 ,  H01S 5/50 630 ,  G02B 6/12 H
Fターム (47件)：
2H047KA04 ,  2H047NA08 ,  2H047QA02 ,  2H047RA08 ,  2H047TA05 ,  2H047TA11 ,  2H079AA08 ,  2H079AA13 ,  2H079AA14 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079CA09 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA04 ,  2H079EA05 ,  2H079EA07 ,  2H079HA15 ,  2K002AA02 ,  2K002AB05 ,  2K002AB23 ,  2K002AB25 ,  2K002AB30 ,  2K002BA02 ,  2K002BA03 ,  2K002CA13 ,  2K002DA06 ,  2K002DA07 ,  2K002DA08 ,  2K002DA12 ,  2K002GA10 ,  2K002HA16 ,  2K002HA30 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB12 ,  5F073BA03 ,  5F073BA08 ,  5F073BA09 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073EA27 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 非線形光デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-244785   出願人：株式会社東芝
  • 半導体光スイッチ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-260022   出願人：株式会社東芝
  • 特開平3-003283

前のページに戻る

TOP

BOTTOM