特許

J-GLOBAL ID：200903092659749090

基板処理装置

発明者： 柿村 崇
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 間宮 武雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-134000
公開番号（公開出願番号）：特開2006-310682
出願日： 2005年05月02日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：

【課題】 基板の主面に密着強化剤を被着させた後に塗布膜を形成する基板処理において、基板の主面全体にわたって均一に密着強化剤を被着させることができる装置を提供する。【解決手段】 スリット状の吐出口を有しHMDSの蒸気を含む密着強化用ガスを吐出口から基板Wの主面に向けて吐出するノズル18と、基板Wを搬送してノズル18の直下を通過させる複数の搬送ローラ16とを有する密着強化処理部を備えた。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板の主面に密着強化剤を被着させた後に基板の主面に塗布膜を形成する基板処理装置において、 スリット状孔もしくは直線上に並列された複数の孔からなる吐出口を有し、密着強化剤の蒸気を含む密着強化用ガスを前記吐出口から基板の主面に向けて吐出する吐出手段と、 この吐出手段に対し基板を相対的に移動させる移動手段と、 を備えることを特徴とする基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  B05B 1/04 ,  B05B 1/14

FI (3件)：

H01L21/30 563 ,  B05B1/04 ,  B05B1/14 Z

Fターム (9件)：

4F033AA01 ,  4F033AA14 ,  4F033BA01 ,  4F033DA01 ,  4F033DA05 ,  4F033EA01 ,  4F033HA01 ,  5F046HA02 ,  5F046HA07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ガス処理方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-253239   出願人：東京エレクトロン株式会社