ガス処理方法及びその装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-253239
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150368
出願日： 1999年09月07日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハにレジストを塗布する前に疎水化を図る装置や絶縁膜の材料である塗布膜をゲル化する装置において、ウエハ面内の表面処理のばらつきを少なくすること。【解決手段】 HMDS(ヘキサメチルジシラザン)ガスの供給及び停止を断続して繰り返し行い、HMDSガスの供給により疎水化処理の進行とともに下がったウエハ部分の温度を、HMDSガスの供給停止による疎水化処理の停止期間に復帰させた後、疎水化処理を再開するようにし、それによってウエハWのガスの当たる部分の温度が著しく低くなるのを抑制しながら疎水化処理行う。またアンモニアガスで塗布膜をゲル化する場合も同様にして行う。この場合ガスの供給及び停止の制御は、所定のタイミングで行ってもよいし、処理容器内の圧力に基づいて行っても良い。

請求項（抜粋）：

密閉容器内でガスを用いて基板の表面処理を行うにあたって、密閉容器内に基板を搬入する工程と、基板が搬入された密閉容器内を排気しながら該密閉容器内に処理ガスを断続的に供給する工程と、を含むことを特徴とするガス処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/16 501

FI (2件)：

H01L 21/30 563 , G03F 7/16 501

引用特許：

審査官引用 (6件)

密着強化処理装置および密着強化処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-103987 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-034204 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
減圧処理装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-120387 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

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