特許

J-GLOBAL ID：200903092683330369

半導体材料

発明者： 野口 隆 ,  池田 裕司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-305552
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145056
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】 多結晶半導体材料に比べて優れた電気的特性を有し、しかも各種の基板上に容易に形成することができる半導体材料を提供する。【解決手段】 半導体材料は半導体からなるほぼ単結晶の複数の結晶粒3aからなる。これらの結晶粒3aは一面方位、例えば{100}面方位、{111}面方位または{110}面方位に優先配向しており、互いに隣接する結晶粒3aの粒界3bは、少なくともその一部で互いにほぼ格子整合している。{100}面方位の場合、結晶粒3aはほぼ正方形の形状を有し、碁盤の目状に配列する。{111}面方位の場合、結晶粒3aはほぼ正六角形状の形状を有し、正亀の甲状に配列する。{110}面方位の場合、結晶粒3aはほぼ六角形状の形状を有し、亀の甲状に配列する。結晶粒3aを構成する半導体は、Si、Ge、Cなどのダイアモンド型結晶構造を有するIV族半導体などである。

請求項（抜粋）：

半導体からなるほぼ単結晶の複数の結晶粒からなり、上記複数の結晶粒は一面方位に優先配向しており、上記複数の結晶粒のうちの互いに隣接する結晶粒は少なくともその粒界の一部で互いにほぼ格子整合していることを特徴とする半導体材料。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/04 ,  C30B 29/06 ,  C30B 29/08 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/04 N ,  C30B 29/06 A ,  C30B 29/08 ,  H01L 21/205