半導体の不純物ドーピング方法、その装置および半導体材料

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上島淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-264743
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075879
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】p型不純物原料とn型不純物原料とを結晶層にドーピングする場合においても、キャリアー濃度が増加するようにして、伝導度の大きな半導体材料を作製することができるようにする。【解決手段】結晶原料により形成される結晶層に不純物をドーピングする半導体の不純物ドーピング方法において、複数種類の結晶原料を所定のパージ時間をおいて交互にパルス状に供給するときに、上記結晶原料の全ての種類の供給が1回ずつ行われる1サイクル内において、複数種類の不純物原料それぞれを近接したタイミングでパルス状に供給する。

請求項（抜粋）：

結晶原料により形成される結晶層に不純物をドーピングする半導体の不純物ドーピング方法において、複数種類の結晶原料を所定のパージ時間をおいて交互にパルス状に供給するときに、前記結晶原料の全ての種類の供給が1回ずつ行われる1サイクル内において、複数種類の不純物原料それぞれを近接したタイミングでパルス状に供給するものである半導体の不純物ドーピング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34

FI (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34

Fターム (44件)：

4K030AA11 , 4K030AA20 , 4K030BA01 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA21 , 4K030BA24 , 4K030BA25 , 4K030BA26 , 4K030BA29 , 4K030BA32 , 4K030BA33 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030CA17 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030JA05 , 4K030JA11 , 4K030JA20 , 4K030LA12 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045BB16 , 5F045DA53 , 5F045DA62 , 5F045DQ06 , 5F045EE02 , 5F045EE04 , 5F045EE15 , 5F045EE18 , 5F045EE19 , 5F045EF09 , 5F045EK03 , 5F045GB05

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平3-215390
低抵抗p型GaN結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-258054 出願人：科学技術振興事業団

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