エピタキシャルウエハ用シリコン基板及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：赤野牧子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-022161
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199380
出願日： 1996年01月12日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】より高い集積化が求められている半導体デバイスに用いられるエピタキシャルウエハを、表面シリコン単結晶を結晶転位なく優れた結晶性を有すると共に、微細構造的にも欠陥なく製造可能とするエピタキシャルウエハ用シリコン基板の提供。【解決手段】所定にヘビードープされたボロン濃度[B0 ]を有するシリコン基板であって、該基板のエピタキタシャル膜を成長させる最表面における表面ボロン濃度[BS ]が1.5×1016atoms/cm3 以下であり、且つ、[B0 ]×0.5以上のボロン濃度[BX ]まで該最表面から少なくとも2μmの深さに亘りボロン濃度が勾配を有して逓増してなるエピタキシャルウエハ用シリコン基板。このエピタキシャルウエハ用シリコン基板は、ヘビードープされたボロン濃度[B0 ]を有するシリコン基板のエピタキタシャル膜を成長させる表面を、水素含有ガス雰囲気下で熱処理し、少なくとも最表面ボロン濃度[BS ]を1.5×1016atoms/cm3 以下とすることにより製造することができる。

請求項（抜粋）：

所定にヘビードープされたボロン濃度[B0 ]を有するシリコン基板であって、該基板のエピタキタシャル膜を成長させる最表面における表面ボロン濃度[BS ]が1.5×1016atoms/cm3 以下であり、且つ、[B0 ]×0.5以上のボロン濃度[BX ]まで該最表面から少なくとも2μmの深さに亘りボロン濃度が勾配を有して逓増することを特徴とするエピタキシャルウエハ用シリコン基板。

IPC (3件)：

H01L 21/02 , C30B 33/02 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/02 B , C30B 33/02 , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭54-029560
半導体ウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-196576 出願人：九州電子金属株式会社, 住友シチックス株式会社
特開昭54-029560

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