特許

J-GLOBAL ID：200903092710916370

ドライエッチング方法およびドライエッチング装置

発明者： 長山 哲治 ,  門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-165406
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074147
出願日： 1993年07月05日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】 3層レジスト・プロセスにおいて、形状異方性と対下地選択性を良好に維持しながら下層レジスト層をエッチングする。【構成】 ECRプラズマ、誘導結合プラズマ等、1011イオン/cm2 以上のイオン密度を達成可能な高密度プラズマ装置を用い、放電解離条件下で炭素系堆積物と酸素系活性種とを生成可能なエッチング・ガスを用いて下層レジスト層10をエッチングする。エッチング・ガスの一次解離により生成するC成分と、エッチング反応生成物であるCOx が高密度プラズマ中で再解離することにより生ずるC成分の両者の寄与により、効率良く側壁保護膜13が形成される。【効果】 異方性加工に必要な入射イオン・エネルギーを低減でき、高選択性が達成できる。側壁保護膜13はアッシング時に容易に除去できるので、パーティクル汚染を起こさない。

請求項（抜粋）：

イオン密度が1011イオン/cm3 以上のプラズマを生成可能なエッチング装置に炭素系堆積物と酸素系活性種とを生成可能なエッチング・ガスを導入し、基板上に形成された有機材料層を所定の形状にパターニングされた無機材料層をマスクとしてエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開昭59-169136
  
• 特開平4-171723
  
• 特開平4-334021
  
• 特開昭62-249422
  
• 特開平2-150027
  
• マイクロ波プラズマエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-031796   出願人：株式会社日立製作所