特許
J-GLOBAL ID：200903092712305956
光デバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-314691
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169673
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】 円形ウェハ100上に光デバイスのパターン111を転写する際、該パターンの基準方向と、上記円形ウエハのへき開可能な結晶面との間のずれ角を、確実にかつ作業者の技能によらずに簡単に許容値の範囲内に抑えること。【構成】 基準線パターンの両側に複数の線状パターンを所定の間隔で配列してなる第1,第2のスケールパターン110a,110bを有し、該両スケールパターンの基準線パターンが一直線上に位置する構造の第1マスク工程用露光マスク110を用い、上記第1マスク工程用露光マスク110と、円形ウエハ100とのマスク合わせの際の位置ずれ量を、上記円形ウエハ100のホトレジスト膜上に転写された上記2つのスケールパターン110a,110bの、上記円形ウエハのオリフラ面100aとの位置ずれ量の差から求めるようにした。
請求項（抜粋）：
所望する結晶面からのずれ角が所定角度以下となるよう加工されたオリエンテーションフラット面を有する円形ウエハ上に感光性樹脂を形成する工程と、第1マスク工程用露光マスクを、上記感光性樹脂を形成した円形ウエハに対して位置合わせする工程と、上記円形ウエハ上の感光性樹脂の露光,現像を行った後、上記露光マスクと円形ウエハとのマスク合わせの際の位置ズレ量を測定する工程と、上記測定結果に応じて、その後の工程で使用可能なウエハと、使用不可能なウエハとを選別する工程とを含み、上記第1マスク工程用露光マスクは、基準線パターンの両側に複数の線状パターンを所定の間隔で配列してなるスケールパターンを2つ有し、該各スケールパターンの基準線パターンが一直線上に位置するよう構成したものであり、上記第1マスク工程用露光マスクの円形ウエハに対する位置合わせは、そのスケールパターンの基準線パターンとオリエンテーションフラット面との位置合わせにより行い、上記第1マスク工程用露光マスクと円形ウエハとの位置ずれ量の測定は、上記感光性樹脂上に転写された2つのスケールパターンの一方の、オリエンテーションフラット部との位置ずれ量と、該2つのスケールパターンの他方の、オリエンテーションフラット部との位置ずれ量との差を測定して行うことを特徴とする光デバイスの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 9/00
, H01S 3/18
H01L 21/30 502 M
, H01L 21/30 502 V
