マイクロマシンの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-300844
公開番号（公開出願番号）：特開平7-241088
出願日： 1994年12月05日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】単結晶物質で構成される部材を備え、複雑な構造を有するマイクロマシンの製造を容易かつ精度よく行う。【構成】 (100)面が上方を向いている単結晶Si基板1102の最上層1104に所定の複数方向からNe原子流を照射することにより、この最上層1104の結晶方位を(111)面が上方を向くような方位に転換する。マスク材1106を遮蔽体として、基板1102の底面から、異方性エッチング処理を施すことによって、V字型の溝1112を形成する。このとき、最上層1104はエッチング・ストッパとして機能する。このため、厚さの揃った単結晶のダイヤフラムを有するマイクロマシンを容易に製造し得る。【効果】単結晶物質で構成されるダイヤフラムなどの複雑な部材を有するマイクロマシンを、接合によらずに容易に製造し得る。

請求項（抜粋）：

少なくとも一部が基材から分離された構造を有する部材を備えるマイクロマシンの製造方法であって、(a) 前記基材の上に犠牲層を形成する工程と、(b) 当該犠牲層の上に前記部材を構成する所定の物質の層を形成する工程と、(c) 前記工程(b) の中または後で、前記所定の物質の結晶化温度以下の適正な温度下で、形成すべき単結晶層における方向の相異なる複数の最稠密結晶面に垂直な方向から、前記所定の物質のスパッタリングを引き起こさない低エネルギーの気体のビームを、前記所定の物質の層へ照射することにより、当該所定の物質の層を単結晶層へ転換する工程と、(d) 前記工程(c) の後で、前記犠牲層を除去する工程と、を備えるマイクロマシンの製造方法。

IPC (7件)：

H02N 1/00 , C23C 14/22 , C23C 16/24 , C23C 16/50 , C23F 1/00 , C30B 23/04 , H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平2-184594
特開平1-320291
特開平2-022198

全件表示

前のページに戻る