特許

J-GLOBAL ID：200903092725668802

パターン形成方法を含む半導体装置の製造方法

発明者： 谷口 修一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-209295
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032648
出願日： 2004年07月16日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】 本発明は半導体装置の製造工程において、レジストなどのマスクパターンを用いる際に発生する反応生成物等のレジスト等への不均一な付着によるパターン形状等の不良を生じさせず、また、寸法精度が良好な微細パターンの形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 パターン形成方法を含む半導体装置の製造方法として、第1の薄膜の側壁に第2の薄膜を形成し、その側壁に形成された第2の薄膜の先端部が不均一にならないように、平坦化法により、精度良くエッチバックして揃える。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板上に、第1の薄膜による複数のパターンを形成する工程と、 前記第1の薄膜の側壁に第2の薄膜を形成する工程と、 前記複数のパターン間へ埋め込みながら、前記第1の薄膜及び前記第2の薄膜を覆うように前記基板上に埋込膜を形成する工程と、 前記第1の薄膜及び前記第2の薄膜の表面が露出するまで、前記埋込膜を平坦化しながら除去する工程と、 前記第1の薄膜、前記第2の薄膜及び前記埋込膜を深さ方向へ向けて所定の厚さだけ除去する工程と、 前記複数のパターン間へ埋め込まれた前記埋込膜及び前記第1の薄膜を除去し、前記第2の薄膜をパターンとして残存させる工程と を有することを特徴とするパターン形成方法を含む半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/320 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/823 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/78

FI (6件)：

H01L21/88 B ,  H01L21/28 E ,  H01L21/28 301A ,  H01L27/08 321D ,  H01L21/302 105A ,  H01L29/78 301G

Fターム (89件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD26 ,  4M104DD43 ,  4M104DD66 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH14 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB13 ,  5F004EA03 ,  5F004EA09 ,  5F004EA10 ,  5F004EA12 ,  5F004EA27 ,  5F004EA29 ,  5F004FA08 ,  5F033HH04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033RR02 ,  5F033RR04 ,  5F033SS09 ,  5F033SS11 ,  5F033TT06 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033XX03 ,  5F033XX34 ,  5F048AA01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB11 ,  5F048BB14 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA27 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF44 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG36 ,  5F140BG38 ,  5F140BG40 ,  5F140BG46 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ23 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140CA03 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CE07 ,  5F140CE20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-074041   出願人：株式会社東芝