特許

J-GLOBAL ID：200903092756108147

半導体装置

発明者： 河野 好伸
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-003842
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208529
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 トランジスタにFLRを設けても、十分な耐圧を得ることが困難であった。【解決手段】 ベース領域11とエミツタ領域12と第1及び第2のコレクタ領域13、14とを有するトランジスタにおいて、ベース領域11に浅い第1の部分11aと深い第2の部分11bとを設ける。第2の部分11bは第1の部分11aを囲むように配置する。第2のコレクタ領域14を第1のコレクタ領域13を介してベース領域11の第1の部分11aに対向させ、第2の部分11b及びFLR領域15には対向させない。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1導電型の第1の半導体領域と前記第1導電型と反対の第2導電型の第2の半導体領域と第1導電型の第3の半導体領域と第2導電型のフィールド・リミッティング・リング領域とを備えた半導体基体と少なくとも第1及び第2の電極とを有し、前記第1の半導体領域はその一部が前記半導体基体の一方の主面に露出するように配置され、前記第2の半導体領域はその一部が前記半導体基体の一方の主面に露出するように前記第1の半導体領域の中に島状に配置され、前記第3の半導体領域は前記第1の半導体領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有し且つ前記第1の半導体領域と前記半導体基体の他方の主面との間に配置され、前記第1の電極は前記半導体基体の一方の主面において前記第2の半導体領域に電気的に接続され、前記第2の電極は前記半導体基体の他方の主面に配置され且つ前記第3の半導体領域に電気的に接続され、前記フィールド・リミッティング・リング領域は前記半導体基体の一方の主面において前記第1の半導体領域を介して前記第2の半導体領域を囲むように配置され且つ前記第1の半導体領域の中に島状に形成された半導体装置において、前記第2の半導体領域は前記半導体基体の一方の主面を基準にして第1の深さを有するように形成された第1の部分と前記半導体基体の一方の主面を基準にして前記第1の深さよりも深い第2の深さを有するように形成され且つ前記第1の部分を囲むように配置された第2の部分とを有し、前記第3の半導体領域は平面的に見て前記第2の半導体領域の前記第2の部分の内側に配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/861

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/91 D

Fターム (8件)：

5F003AP06 ,  5F003BA93 ,  5F003BB90 ,  5F003BE09 ,  5F003BG03 ,  5F003BJ12 ,  5F003BM01 ,  5F003BN01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-265460   出願人：サンケン電気株式会社
• 特開昭63-252476