特許
J-GLOBAL ID：200903092769880680
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-048871
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263805
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 埋め込み構造を用いない半導体レーザ装置に関し、一連の結晶成長工程でレーザ構造を作製でき、かつ高性能の半導体レーザを実現することのできる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【構成】 (100)面あるいは(n11)A面(nは7<nの実数)が表出した2つの平坦面と、前記2つの平坦面を接続し、(m11)A面(mは2≦m≦7の実数)が表出した斜面を持つIII-V族化合物半導体の段差基板と、(100)面あるいは(n11)A面が表出した2つの平坦面と、前記2つの平坦面を接続し、(k11)A面(kは3≦k≦7の実数)が表出した斜面を持つ活性層と、前記活性層に接して積層され、斜面に沿う領域で高いp型キャリア濃度を持ち、平坦面に沿う領域で低いp型キャリア濃度を持つp側第1クラッド層と、前記p側第1クラッド層に接して積層され、斜面と沿う領域でp型のp側第2クラッド層を形成し、平坦面に沿う領域で厚さが約0.15〜0.35μmの範囲にあるn型の電流ブロック領域を形成する同一のクラッド兼ブロック層とを有する。
請求項（抜粋）：
(100)面あるいは(n11)A面(nは7<nの実数)が表出した2つの平坦面と、前記2つの平坦面を接続し、(m11)A面(mは2≦m≦7の実数)が表出した斜面を持つIII-V族化合物半導体の段差基板(1)と、(100)面あるいは(n11)A面が表出した2つの平坦面と、前記2つの平坦面を接続し、(k11)A面(kは3≦k≦7の実数)が表出した斜面を持つ活性層(5)と、前記活性層に接して積層され、斜面に沿う領域で高いp型キャリア濃度を持ち、平坦面に沿う領域で低いp型キャリア濃度を持つp側第1クラッド層(6)と、前記p側第1クラッド層に接して積層され、斜面と沿う領域でp型のp側第2クラッド層を形成し、平坦面に沿う領域で厚さが約0.15〜0.35μmの範囲にあるn型の電流ブロック領域を形成する同一のクラッド兼ブロック層(7)とを有する半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 29/06
, H01L 33/00
