特許

J-GLOBAL ID：200903092819548258

半導体装置

発明者： 朱 雨 ,  石丸 昌晃 ,  高橋 直 ,  清水 正文
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-102233
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298317
出願日： 1995年04月26日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【目的】リーク電流を低減でき、且つ、高い信頼性を得ることのできる半導体装置及び電界効果型半導体装置を提供する。【構成】InP基板上に形成されたInGaAs能動層3と、そのInGaAs能動層3に接して形成されたアンドープのInAlPからなるショットキー障壁向上層6と、そのショットキー障壁向上層6に接続した金属電極7と、を備えてなる。

請求項（抜粋）：

InP基板上に形成されたInGaAs層からなる能動層と、該能動層に接して形成されたアンドープのInAlP層からなるショットキー障壁向上層と、該ショットキー障壁向上層に接続した金属電極と、を備えてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/48 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-119065
  
• 電界効果型化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-048875   出願人：富士通株式会社