特許

J-GLOBAL ID：200903092819560363

電界電子放出装置

発明者： 楠 美智子
出願人/特許権者： 株式会社ノリタケカンパニーリミテド ,  財団法人ファインセラミックスセンター
代理人 (1件)： 池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-265044
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100317
出願日： 1998年09月18日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】高密度に配向させられたナノチューブをエミッタとして備えた電界電子放出装置を提供する。【解決手段】エミッタ28は、炭化珪素単結晶から成る基板50を真空下で加熱することにより、その基板50の平坦な表面48から陽極20に向かう一方向に沿って伸びるように表面38に生成された複数本のナノチューブ40で構成される。そのため、基板50が真空下で加熱されると、珪素56が選択的に表面48から次第に除去され、それに伴って炭素原子44だけからなるナノチューブ40がその珪素56の移動方向すなわち基板50の内部から表面48に向かう一方向に沿って配向して生成される。しかも、珪素56が抜け出ることによるナノチューブ化は基板表面48の略全面で生じ、その表面48側には珪素56が残存し得ないため、そこにはナノチューブ40が緻密に形成されることとなる。これにより、高密度に配向させられたナノチューブ40を有するエミッタ28を備えたFED10が得られる。

請求項（抜粋）：

気密空間内において互いに対向して配置されたエミッタおよび陽極間に電圧を印加することにより、該エミッタから電子を放出させる形式の電界電子放出装置であって、前記エミッタが、共有結合性炭化物から成る基板を真空下で加熱することにより該基板の平坦な一面から前記陽極に向かう一方向に沿って伸びるように該一面に生成された複数本のカーボン・ナノチューブを有することを特徴とする電界電子放出装置。

IPC (3件)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/304 ,  H01J 1/30

FI (3件)：

H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 F ,  H01J 1/30 A

Fターム (2件)：

5C035BB01 ,  5C035BB04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電界放出型冷陰極装置、その製造方法及び真空マイクロ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-249096   出願人：株式会社東芝