特許
J-GLOBAL ID：200903092824140330

被処理体の載置装置

発明者：
輿石 公

輿石 公 について

, 
檜森 慎司

檜森 慎司 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-216552
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033376
出願日： 2000年07月17日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：
【要約】【課題】 フォーカスリング3が単にウエハチャック1上に載置した構造であるため、フォーカスリング3とウエハチャック1間に真空細隙があり、両者間での熱伝達が悪く、半導体ウエハWのようにはフォーカスリング3を冷却することができず、フォーカスリング3が半導体ウエハWの温度よりもかなり高くなり、半導体ウエハWの外周縁部のエッチング特性が変化する。【解決手段】 本発明の半導体ウエハWの載置装置は、半導体ウエハWを載置する冷却機構を内蔵したウエハチャック11と、このウエハチャック11の載置面の外周縁部に配置されたフォーカスリング12とを備えた半導体ウエハWの載置装置において、ウエハチャック11の上面に半導体ウエハW及びフォーカスリングを吸着する第1、第2誘電体膜層14A、14Bを設けたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
被処理体を載置する冷却機構を内蔵した載置台と、この載置台の載置面の外周縁部に配置されたフォーカスリングとを備えた被処理体の載置装置において、上記被処理体及び上記フォーカスリングを吸着する静電吸着手段を上記載置面に一体的に設けたことを特徴とする被処理体の載置装置。
IPC (6件)：
H01L 21/68 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H02N 13/00 ,  B23Q 3/15
FI (6件)：
H01L 21/68 R ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/205 ,  H02N 13/00 D ,  B23Q 3/15 D ,  H01L 21/302 B
Fターム (25件)：
3C016AA01 ,  3C016CE04 ,  3C016GA10 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030GA02 ,  4K030KA26 ,  4K030KA45 ,  4K030KA46 ,  5F004AA01 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BB29 ,  5F004BD01 ,  5F031CA02 ,  5F031HA16 ,  5F031HA38 ,  5F031HA39 ,  5F031PA11 ,  5F045AA08 ,  5F045BB01 ,  5F045EJ03 ,  5F045EJ09 ,  5F045EM05 ,  5F045EM09
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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