特許

J-GLOBAL ID：200903092824798440

洗浄方法及び洗浄装置

発明者： 木暮 雅彦 ,  阿部 俊和 ,  小島 泉里
出願人/特許権者： 野村マイクロ・サイエンス株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-232760
公開番号（公開出願番号）：特開2001-054768
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】 洗浄中に露出した基板表面のSiを水素終端させつつ、室温での洗浄を効果的に行う。【解決手段】 水素ガス発生手段5から送られた水素ガス7を希フッ酸水溶液8中にバブリングさせて溶解し、洗浄対象となるSiウエハ9を洗浄バス1内の希フッ酸水溶液8中に超音波振動を与えながら所定時間浸漬させ、Siウエハ9を室温で洗浄するとともに、Siウエハ9の表面のSiのダングリングボンドを水素終端化する。

請求項（抜粋）：

水素ガスを溶解させたフッ化水素酸の水溶液を、超音波振動を与えながら、被洗浄物と接触させることを特徴とする洗浄方法。

IPC (4件)：

B08B 3/08 ,  B08B 3/12 ,  H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304 647

FI (4件)：

B08B 3/08 Z ,  B08B 3/12 A ,  H01L 21/304 642 E ,  H01L 21/304 647 Z

Fターム (12件)：

3B201AA03 ,  3B201AB01 ,  3B201AB44 ,  3B201BB02 ,  3B201BB85 ,  3B201BB93 ,  3B201BB96 ,  3B201BB98 ,  3B201CB01 ,  3B201CC21 ,  3B201CD42 ,  3B201CD43

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電子材料用洗浄水
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-006221   出願人：栗田工業株式会社