特許

J-GLOBAL ID：200903092835503671

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： 斉藤 肇 ,  辰巳 正毅
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-224149
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069667
出願日： 1995年08月31日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】【課題】 p型クラッド層のZnの拡散に起因する素子特性の劣化を防ぎ、素子寿命にも優れた半導体レーザ装置を制御性および歩留り良く製造する。【解決手段】 p型AlGaAs第2クラッド層105とn型GaAs電流阻止層109との間に、Cドープ層106が形成されている。n型電流阻止層109で生成した格子間Gaの拡散がCドープ層106により抑制されるので、p型第2クラッド層105中のZnの異常拡散を抑止できる。活性層104に隣接するp型第2クラッド層105にはZnがドープされてCがドープされていないので、結晶欠陥が導入されにくい。

請求項（抜粋）：

n型半導体基板上に、n型第1クラッド層と活性層とp型第2クラッド層とが基板側からこの順に形成され、該第2クラッド層上に、ストライプ状溝部を有するn型電流阻止層が形成され、該ストライプ状溝部上および該電流阻止層上に渡ってp型第3クラッド層が形成されている半導体レーザ装置において、該第2クラッド層と該電流阻止層との間に、不純物として少なくとも炭素を含有する半導体層が形成されている半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-018476   出願人：シャープ株式会社
• 特開平4-213886