特許
J-GLOBAL ID：200903092876226364
多結晶薄膜の製造方法および酸化物超電導導体の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-249585
公開番号（公開出願番号）：特開平7-105764
出願日： 1993年10月05日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、結晶配向性に優れた多結晶薄膜を提供することと、この結晶配向性に優れた多結晶薄膜を高速成膜すること、および、結晶配向性に優れた酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、YSZのターゲット12から発生させた粒子を基材A上に堆積させ、基材A上にYSZ多結晶薄膜を形成する方法において、YSZの粒子を基材A上に堆積させる際に、イオン源が発生させたイオンビームを基材Aの成膜面の法線に対して斜め方向から50〜60度の範囲の入射角度で照射しながら前記粒子を基材A上に堆積させるとともに、前記イオンビームとして、Kr+イオンを主体とするイオンビームあるいはKr+イオンと酸素イオンを主体とする混合イオンビームを用いるものである。
請求項（抜粋）：
イットリウム安定化ジルコニアのターゲットから発生させた粒子を基材上に堆積させ、基材上にイットリウム安定化ジルコニアの多結晶薄膜を形成する方法において、イットリウム安定化ジルコニアの粒子を基材上に堆積させる際に、イオン源が発生させたイオンビームを基材の成膜面の法線に対して斜め方向から50〜60度の範囲の入射角度で照射しながら前記粒子を基材上に堆積させるとともに、前記イオンビームとして、Kr+イオンを主体とするイオンビームあるいはKr+イオンと酸素イオンを主体とする混合イオンビームを用いることを特徴とする多結晶薄膜の製造方法。
IPC (9件)：
H01B 13/00 565
, C01G 1/00
, C01G 3/00 ZAA
, C01G 15/00 ZAA
, C01G 29/00 ZAA
, C23C 14/08 ZAA
, C23C 14/14
, C30B 29/22 501
, H01B 12/06 ZAA
