特許
J-GLOBAL ID：200903092897309456
キャパシタおよびその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-206187
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094678
出願日： 1993年08月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】リーク電流が極めて少ないキャパシタ薄膜を下部電極材料にかかわらず実現することの出来るキャパシタおよびその形成方法を提供する。【構成】下部電極上に化学気相成長(CVD)法によって誘電体膜を形成し、その後、上部電極を形成するキャパシタ膜形成方法において、上記誘電体膜もしくは上記下部電極にシリコン原子をイオン注入する工程?Cと、その後、活性酸素雰囲気中でアニールを施す工程?Dと、を付加したことを特徴とするキャパシタ膜形成方法。
請求項（抜粋）：
下部電極上に化学気相成長(CVD)法によって誘電体膜を形成し、その後、上部電極を形成するキャパシタの形成方法において、上記誘電体膜もしくは上記下部電極にシリコン原子をイオン注入する工程と、その後、活性酸素雰囲気中でアニールを施す工程と、を付加したことを特徴とするキャパシタの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 49/02
