特許

J-GLOBAL ID：200903092903572504

光電変換素子,光電変換素子の製造方法及び固体撮像素子

発明者： 入澤 覚 ,  林 誠之
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-123328
公開番号（公開出願番号）：特開2009-272528
出願日： 2008年05月09日
公開日（公表日）： 2009年11月19日
要約：

【課題】光電変換効率を低下させることなく、暗電流を抑制することができる光電変換素子、光電変換素子の製造方法及び固体撮像素子を提供する。【解決手段】一対の電極101,104間に配置された光電変換層102と、電極101,104と光電変換層102との間に形成された電荷ブロッキング層105とを備え、電荷ブロッキング層105の表面の平均粗さが2.0nm以下とする。または、電荷ブロッキング層105のX線回折スペクトルにおいて回折ピークが現れない、もしくはその中で最大となる回折ピークの半値幅が5°以上とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一対の電極と、 前記一対の電極の間に配置された光電変換層と、 前記一方の電極と前記光電変換層との間に形成され、前記一対の電極への電圧印加時に前記一対の電極の一方から前記光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する電荷ブロッキング層と、を備えた光電変換素子であって、 前記電荷ブロッキング層の表面の平均粗さが2.0nm以下である光電変換素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/146

FI (2件)：

H01L31/10 A ,  H01L27/14 A

Fターム (25件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CB05 ,  4M118CB08 ,  4M118CB14 ,  4M118GC08 ,  4M118GC14 ,  4M118GC15 ,  4M118GD04 ,  5F049MA02 ,  5F049MB08 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049PA06 ,  5F049QA07 ,  5F049QA20 ,  5F049RA03 ,  5F049SE04 ,  5F049SS01 ,  5F049SS03 ,  5F049TA13 ,  5F049WA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 光電変換素子及び固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-347565   出願人：富士フイルム株式会社