特許
J-GLOBAL ID：200903054187242450

光電変換素子及び固体撮像素子

発明者：
横山 大輔

横山 大輔 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-347565
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273945
出願日： 2006年12月25日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】有機材料からなる光電変換素子において、暗電流を防ぐこと。【解決手段】一対の電極100,102と、一対の電極100,102の間に配置された光電変換層101とを含む光電変換部を含む光電変換素子であって、光電変換部が、電極100と光電変換層101との間に設けられ、電極100,102への電圧印加時、電極100から光電変換層101に正孔が注入されるのを防止する正孔ブロッキング層103と、電極102と光電変換層101との間に設けられ、電極100,102への電圧印加時、電極102から光電変換層101に電子が注入されるのを防止する電子ブロッキング層104とを備え、正孔ブロッキング層103と電子ブロッキング層104は、それぞれ、その比誘電率が光電変換層101の比誘電率よりも大きい。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
一対の電極と、前記一対の電極の間に配置された光電変換層とを含む光電変換部を含む光電変換素子であって、 前記光電変換部が、前記一対の電極への電圧印加時に前記一対の電極の一方から前記光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する第一の電荷ブロッキング層を前記一方の電極と前記光電変換層との間に備え、 前記第一の電荷ブロッキング層は、その比誘電率が前記光電変換層の比誘電率よりも大きい光電変換素子。
IPC (2件)：
H01L 31/10 ,  H01L 27/146
FI (2件)：
H01L31/10 A ,  H01L27/14 E
Fターム (27件)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA05 ,  4M118CA06 ,  4M118CA07 ,  4M118CA15 ,  4M118CA27 ,  4M118CB02 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  4M118CB13 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GC07 ,  4M118GC14 ,  5F049MA03 ,  5F049MB08 ,  5F049NB05 ,  5F049PA06 ,  5F049QA20
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 米国特許第5965875号明細書
  • 米国特許第6632701号明細書
  • 受光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-202885   出願人：ソニー株式会社
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審査官引用 (3件)

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