特許
J-GLOBAL ID:200903092913149537
基板装置及びこれを備えた電気光学装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-280824
公開番号(公開出願番号):特開2001-100647
出願日: 1999年09月30日
公開日(公表日): 2001年04月13日
要約:
【要約】【課題】 基板上に配線を備えると共に該基板上における平坦化処理が施された基板装置において、比較的簡単な構成により基板上の積層構造中における段差による配線不良を低減して、装置信頼性を高める。【解決手段】 基板上に溝(80)が設けられており、この溝内に配線(60)が部分的に埋め込まれることにより、基板上における平坦化処理が施されている。配線は、溝により生じる段差(80a)を横切る部分を有し、この段差を横切る部分は、配線の他の部分と比べて幅広に形成されている。
請求項(抜粋):
基板と、該基板の一方の面上に配置された配線とを備えており、前記基板の一方の面に溝が設けられており、該溝内に前記配線が部分的に埋め込まれており、前記配線は、前記溝により生じる段差を横切る部分を有し、該段差を横切る部分は前記配線の他の部分と比べて幅広に形成されていることを特徴とする基板装置。
IPC (2件):
G09F 9/00 346
, G02F 1/1345
FI (2件):
G09F 9/00 346 D
, G02F 1/1345
Fターム (38件):
2H092JA25
, 2H092JA29
, 2H092JA38
, 2H092JA42
, 2H092JA44
, 2H092JA46
, 2H092JB13
, 2H092JB23
, 2H092JB32
, 2H092JB38
, 2H092JB51
, 2H092JB58
, 2H092JB63
, 2H092JB69
, 2H092KA04
, 2H092KA07
, 2H092KA16
, 2H092KA18
, 2H092MA05
, 2H092MA08
, 2H092MA13
, 2H092MA17
, 2H092MA28
, 2H092MA35
, 2H092MA41
, 2H092NA15
, 2H092NA16
, 2H092NA25
, 2H092NA27
, 2H092NA29
, 2H092RA05
, 5G435AA16
, 5G435BB12
, 5G435EE34
, 5G435HH12
, 5G435HH13
, 5G435HH14
, 5G435KK09
引用特許:
審査官引用 (39件)
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特開平4-305625
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特開平4-305625
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特開平4-180031
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特開平4-180031
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特開平4-250424
-
特開平4-250424
-
特開昭61-234079
-
特開昭61-234079
-
特開昭62-280890
-
特開昭62-280890
-
特開平4-218028
-
特開平4-218028
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薄膜トランジスタ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-071102
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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薄膜ディバイス
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-043526
出願人:株式会社日立製作所
-
アクティブマトリクス基板の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-220382
出願人:セイコーエプソン株式会社
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特開平4-305625
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特開平4-180031
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特開平4-250424
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特開昭61-234079
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特開昭62-280890
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特開平4-218028
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特開平4-305625
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特開平4-180031
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特開平4-250424
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特開昭61-234079
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特開昭62-280890
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特開平4-218028
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特開平4-305625
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特開平4-180031
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特開平4-250424
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特開昭61-234079
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特開昭62-280890
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特開平4-218028
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特開平4-305625
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特開平4-180031
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特開平4-250424
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特開昭61-234079
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特開昭62-280890
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特開平4-218028
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