特許
J-GLOBAL ID：200903092936216851

半導体装置

発明者：
中瀬 好美

中瀬 好美 について

, 
坂本 善次

坂本 善次 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-368347
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136018
出願日： 2003年10月29日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】 下側ヒートシンク、半導体チップ、ヒートシンクブロック、上側ヒートシンクを順次はんだ層を介して接合してなる半導体装置において、各はんだ層の厚さを適切に確保しつつ、部品の寸法公差による装置体格のばらつきを適切に防止する。【解決手段】 下側ヒートシンク20、第1のはんだ層51、半導体チップ10、第2のはんだ層52、ヒートシンクブロック40、第3のはんだ層53、上側ヒートシンク30を順次積層し、各はんだ層51〜53を介して接合してなる半導体装置S1において、半導体チップ10と下側ヒートシンク20との間および半導体チップ10とヒートシンクブロック40との間には、当該間を所定の間隔に保つための支持手段としての球形粒子状の金属80が設けられ、上側ヒートシンク30には、第3のはんだ層53からはみ出した余剰のはんだを吸収するための余剰はんだ吸収手段としての溝90が設けられている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体素子(10)と、 前記半導体素子(10)の一面に第1のはんだ層(51)を介して接合され、電極と放熱体とを兼ねる第1の金属体(20)と、 前記半導体素子(10)の他面に第2のはんだ層(52)を介して接合された第2の金属体(40)と、 前記第2の金属体(40)における前記半導体素子(10)側の面とは反対側の面に第3のはんだ層(53)を介して接合され、電極と放熱体とを兼ねる第3の金属体(30)と、を備える半導体装置において、 前記半導体素子(10)と前記第1の金属体(20)との間、および、前記半導体素子(10)と前記第2の金属体(40)との間の少なくとも一方を所定の間隔に保つための支持手段(80、85)が設けられており、 前記第3の金属体(30)には、前記第3のはんだ層(53)からはみ出した余剰のはんだを吸収するための余剰はんだ吸収手段(90)が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L23/36
FI (1件)：
H01L23/36 Z
Fターム (5件)：
5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-196140   出願人：株式会社デンソー
審査官引用 (5件)
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