特許

J-GLOBAL ID：200903092937831819

パワー半導体モジュール

発明者： 武藤 浩隆 ,  菊永 敏之 ,  大井 健史 ,  木ノ内 伸一 ,  堀口 剛司 ,  碓井 修 ,  奥田 達也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 児玉 俊英
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-059713
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353778
出願日： 2000年03月06日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 主電流の検出を、高周波領域まで、精度良く行える電流検出センサ部を備える。【解決手段】 平行平板状に折り返した形状の電流検出センサ部28を用いる。第1、第2の平板状部分28a、28cが互いに対向しているので、電流検出センサ部28のインダクタンスが小さくなり、検出端子34、35からの出力は周波数依存性が大幅に低減する。

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子およびモジュール電極が絶縁基板上に取り付けられ、これらの半導体素子とモジュール電極が接続されてなるパワー半導体モジュールにおいて、主電流が流れる電流経路中に、平行平板状に折り返した形状の導電体で構成されて、内部の電位差から上記主電流を検出する電流センサ部を設けたことを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (3件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/58

FI (2件)：

H01L 25/04 C ,  H01L 23/56 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-221918   出願人：富士電機株式会社
• トランジスタモジユール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-309146   出願人：富士電機株式会社